Micron Technology
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA (MT47H32M16NF-25E AAT:H)
Part Number: MT47H32M16NF-25E AAT:H
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - DDR2
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Скорость: 400MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
- Время доступа: 400ps
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 84-TFBGA
- Исполнение корпуса: 84-FBGA (8x12.5)
431 р.